LED(Light Emitting Diode), LED (LID) 는 전기를 가시광선으로 변환하는 솔리드 스테이트 반도체 장치로, 전기를 빛으로 직접 변환할 수 있습니다. LED 의 심장은 반도체의 칩으로, 칩의 한쪽 끝은 받침대에 부착되어 있고, 한쪽 끝은 음극이고, 다른 쪽 끝은 전원을 연결하는 양극은 전체 칩을 에폭시 수지로 캡슐화한다. 반도체 칩은 두 부분으로 구성되어 있는데, 일부는 P 형 반도체로, 그 안에는 구멍이 주도적이고, 다른 한 쪽에는 N 형 반도체가 있는데, 여기서는 주로 전자이다. 그러나이 두 반도체가 연결될 때, 그들 사이에 "P-N 매듭" 이 형성됩니다. 전류가 전선을 통해 이 칩에 작용하면 전자는 P 구역으로 밀려나고, P 구역에서는 전자와 구멍이 복합된 다음 광자의 형태로 에너지를 방출합니다. 이것이 LED 발광의 원리입니다. 빛의 파장, 즉 빛의 색은 P-N 매듭을 형성하는 재료에 의해 결정된다. 반도체 발광 다이오드의 표시를 제어하여 문자, 그래픽, 이미지, 애니메이션, 시세, 비디오, 비디오 신호 등 다양한 정보를 표시하는 화면입니다. 손쉬운 제어, 저전압 DC 드라이브, 조합된 컬러 성능, 긴 수명 등의 장점으로 도시 각 엔지니어링, 대형 스크린 디스플레이 시스템에 널리 사용되고 있습니다. LED 는 디스플레이 역할을 할 수 있으며, 컴퓨터 제어를 통해 다양한 색상의 비디오와 사진을 표시할 수 있습니다. LED 는 전기를 가시광선으로 변환할 수 있는 반도체이다.
LED 에피 택셜 필름 공정 [2] 프로세스:
는 최근 10 여 년간 파란색 고휘도 발광 다이오드를 개발하기 위해 전 세계 관련 연구 관계자들이 최선을 다하고 있습니다. Blu-ray 및 Greenluminescence 2 차 튜브 LED 및 레이저 2 차 튜브 LD 와 같은 상용화된 제품은 모두 III-V 계열 요소의 잠재력을 보여줍니다. 현재 상품화 LED 의 재료와 외연 기술 중 빨간색과 녹색 발광 다이오드의 외연 기술은 대부분 액상 외연 성장법을 위주로 하고 있으며, 노란색, 오렌지색 발광 다이오드는 여전히 기상외연 성장법을 이용하여 인비소화 갈륨 GaAsP 재료를 주로 성장시키고 있다. (윌리엄 셰익스피어, Northern Exposure (미국 TV 드라마), 예술명언)
일반적으로 GaN 의 성장은 NH3 의 N-H 의 키 해석을 방해하기 위해 높은 온도가 필요하며, 반면, 역학 시뮬레이션에서도 NH3 와 MO Gas 가 반응하여 휘발성이 없는 부산물을 생성한다는 것을 알게 되었습니다.
LED 에피 택셜 칩 프로세스는 다음과 같습니다.
기판-구조 설계-버퍼 층 성장-N 형 GaN 층 성장-다중 양자 우물 발광 층 성장-P 형 GaN 층 성장-어닐링-검출 (광 형광