LED 조명이 켜지지 않는 이유 중 하나는 전원이 고장나서 전등이 작동하지 않고,
led 표시등
LED, 영어? 라이트 에밋팅? Diode 의 약어로, 일명 발광 다이오드라고도 합니다. 그것의 기본 구조는 전기를 빛으로 직접 변환 할 수있는 고체 반도체 소자 인 전계 발광 반도체 재료입니다. 지시선이 있는 선반에 놓고 사방을 에폭시 수지로 밀봉하여 내부 심선을 보호하는 역할을 하기 때문에 LED 의 내진성이 좋다. LED 의 심장은 반도체의 칩으로, 칩의 한쪽 끝은 받침대에 부착되어 있고, 한쪽 끝은 음극이고, 다른 쪽 끝은 전원의 양극을 연결하여 전체 칩을 에폭시 수지로 캡슐화한다.
1 제품 소개
LED(Light Emitting Diode), 발광 다이오드는 전기를 가시광선으로 변환하는 솔리드 스테이트 반도체 장치로, 전기를 빛으로 직접 변환할 수 있습니다. LED 의 심장은 반도체의 칩으로, 칩의 한쪽 끝은 받침대에 부착되어 있고, 한쪽 끝은 음극이고, 다른 쪽 끝은 전원의 양극을 연결하여 전체 칩을 에폭시 수지로 캡슐화한다. 반도체 칩은 두 부분으로 구성되어 있는데, 일부는 P 형 반도체로, 그 안에는 구멍이 주도적이고, 다른 한 쪽에는 N 형 반도체가 있는데, 여기서는 주로 전자이다. 하지만 이 두 반도체가 연결되면 그 사이에 P-N 매듭이 형성됩니다. 전류가 전선을 통해 이 칩에 작용하면 전자는 P 구역으로 밀려 P 구역에서 전자와 공혈이 복합된 다음 광자의 형태로 에너지를 방출하는데, 바로 LED 램프가 빛을 발하는 원리다. 빛의 파장, 즉 빛의 색은 P-N 매듭을 형성하는 재료에 의해 결정된다.
원래 LED 계기의 지시광은 이후 다양한 빛깔의 LED 가 신호등과 대면적 디스플레이에 광범위하게 적용돼 경제적 사회적 효과를 창출했다. 예를 들어, 12 인치 적색 신호등의 경우 미국에서는 수명이 길고 조명 효율이 낮은 140 와트 백열등을 광원으로 사용하여 2000 루멘의 백색광을 생성합니다. 적색 필터를 통과한 후 빛은 90 을 잃고 200 루멘의 붉은 빛만 남았다. 새로 설계된 램프에서 Lumileds 는 회로 손실을 포함하여 18 개의 빨간색 LED 광원을 사용했으며, * * * 전력 소비 14 와트로 동일한 조명 효과를 낼 수 있습니다. 자동차 신호등도 LED 광원 응용의 중요한 영역이다.
일반 조명의 경우 흰색 조명이 더 필요합니다. 1998 년 백색광이 나는 LED 개발에 성공했다. 이 LED 는 GaN 칩과 이트륨 알루미늄 가닛 (YAG) 을 함께 캡슐화하여 만든 것이다. GaN 칩은 Blu-ray (P = 465NM, Wd=30nm) 를 방출하고, 고온소결로 만든 Ce3+ 가 포함된 YAG 형광체는 이 Blu-ray 에 의해 자극된 후 노란색 광사, 피크 550nm 을 방출한다. 블루레이 LED 베이스는 그릇형 반사강에 설치되며 YAG 가 섞인 수지 박층으로 덮여 약 200-500nm 입니다. LED 기판에서 방출되는 블루 레이 부분은 형광체에 흡수되고, 다른 부분은 형광체에 의해 방출되는 노란 빛과 혼합되어 백색광을 얻을 수 있다. InGaN/YAG 흰색 LED 의 경우 YAG 형광체의 화학 구성을 변경하고 형광체 층의 두께를 조절하여 색온도 3500-10000K 의 색색 백색광을 얻을 수 있습니다. 블루레이 LED 를 통해 백색광을 얻는 이 방법은 구조가 간단하고, 비용이 저렴하며, 기술 성숙도가 높기 때문에 가장 많이 사용된다.
일반 조명의 경우 흰색 조명이 더 필요합니다. 1998 년 백색광이 나는 LED 개발에 성공했다. 이 LED 는 GaN 칩과 이트륨 알루미늄 가닛 (YAG) 을 함께 캡슐화하여 만든 것이다. GaN 칩은 Blu-ray (P = 465NM, Wd=30nm) 를 방출하고, 고온소결로 만든 Ce3+ 가 포함된 YAG 형광체는 이 Blu-ray 에 의해 여기 된 후 노란색 빛 방출, 피크 550nm 을 방출합니다.
블루레이 LED 베이스는 그릇형 반사강에 설치되며 YAG 가 섞인 수지 박층으로 덮여 약 200-500nm 입니다. LED 기판에서 방출되는 블루 레이 부분은 형광체에 흡수되고, 다른 부분은 형광체에 의해 방출되는 노란 빛과 혼합되어 백색광을 얻을 수 있다. InGaN/YAG 흰색 LED 의 경우 YAG 형광체의 화학 구성을 변경하고 형광체 층의 두께를 조절하여 색온도 3500-10000K 의 색색 백색광을 얻을 수 있습니다.
2 발전사
< P > 지난 1960 년대, 과학기술자들은 반도체 PN 접합 발광의 원리를 이용하여 LED 발광 다이오드를 개발했다. 당시 개발된 LED 는 GaASP 로 발광 색이 빨간색입니다. 최근 30 년간의 발전을 거쳐 모두가 잘 아는 LED 는 이미 빨강, 오렌지, 노랑, 녹색, 파랑 등 다양한 색광을 낼 수 있다. 그러나 조명에 필요한 흰색 라이트 LED 는 2000 년 이후에만 발전했으며, 여기서는 조명용 흰색 LED 에 대해 독자들에게 소개한다.
반도체 P-N 접합 발광 원리를 최초로 적용한 LED 광원은 1960 년대 초에 나왔다. 당시 사용된 재료는 GaAsP 로, 적색광 (λp=650nm) 으로 구동 전류가 20 밀리암페어일 때 광속은 천분의 몇 루멘에 불과하며 해당 발광 효율은 약 0.1 루멘/와트였다.
70 년대 중반에는 LED 가 녹색 (λp=555nm), 노란색 (λp=590nm) 및 주황색 (λp=610nm), 빛을 생성하도록 요소 In 과 n 이 도입되었습니다
1980 년대 초에는 갤라스의 LED 광원이 등장해 빨간색 LED 의 조명 효과가 와트/10 루멘에 달했다.
90 년대 초, 붉은 빛, 노란 빛을 발하는 GaAlInP 와 녹색, 푸른 빛을 발하는 GaInN 두 가지 신소재 개발이 성공해 LED 의 광효율을 크게 높였다. 2000 년에는 빨간색, 오렌지 (P = 615NM) 에서 LED 가 100 루멘/와트에 달하는 반면, 후자로 만든 LED 는 녹색 영역 (P = 530NM) 에서 50 루멘/와트에 이를 수 있습니다.
< P > < P > 50 년 전 반도체 재료가 빛을 생성할 수 있다는 기본 지식을 이미 알고 있으며, 첫 번째 상용 다이오드는 1960 년에 생산되었다. 발광 다이오드의 핵심 부분은 P 형 반도체와 N 형 반도체로 구성된 칩으로, P 형 반도체와 N 형 반도체 사이에 p-n 매듭이라는 전이 층이 있다. 일부 반도체 재료의 PN 매듭에서 주입된 소수의 유류자가 다수의 유류자와 복합될 때 여분의 에너지를 빛으로 방출하여 전기를 빛 에너지로 직접 변환한다. PN 매듭에 역전압을 더하면 소수의 유류자가 주입하기 어려워 빛을 내지 않는다. 주입식 전계 발광 원리를 이용하여 만든 이 다이오드를 발광 다이오드 (LED) 라고 합니다. 양끝에 정방향 전압을 더하면 전류가 LED 양극에서 음극으로 흐를 때 반도체 결정체는 자외선에서 적외선까지 다양한 색상의 빛을 방출하며 빛의 강약은 전류와 관련이 있다. 고광효율, 저광쇠퇴 고전력 LED 는 가로등, 광산등, 터널등, 사등, 형광등 등 등 등 등 등 등 등 등 등 여러 조명 분야에 광범위하게 적용돼 업계에서 호평을 받고 있다.1. 솔리드 스테이트 반도체 칩을 사용하여 자체 패키지 발광 효율이 높고, 1W 의 밝기는 일반 형광등 3W 의 효과를 얻을 수 있으며, 60 의 전기를 절약하고, 양호한 광감쇄 성능을 갖추고 있으며, 내고온성 PC 플라스틱 소재 정제를 갖추고 있습니다.
2. 낮은 VF 값 (3.1v-3.5v) 으로 발열량을 줄이고 LED 작동 시간을 연장합니다.
3. 독창적인 에폭시 캡슐화 공정을 통해 전자적인 형태로 에너지를 방출하며 정백과 썸백의 루멘 값은 비슷할 수 있다. 제품은 플레어가 없는 컬러링, 발색이 높고 일관성이 좋다.
4. 렌즈는 떨어지지 않도록 특별한 방법으로 처리됩니다.
5. 용도
LED 가로등, LED 조명. LED 조명,? Led 사등? 고출력 60W 80W 120W 160W 180W? LED 장식등 LED 조명? LED 가로등 LED 광산등 LED 조명 LED 무대등.