모듈?
BSM100GB120DN2K
BSM---------------역병렬 프리휠링 다이오드(F.W.D)가 포함된 IGBT 모듈
BYM - ------------다이오드 모듈
100------------Tc=80°C에서 정격 전류
GA--------- 1유닛 모듈
GB----------2유닛 모듈(하프 브리지 모듈)
GD- -- -------6유닛 모듈
GT------------3유닛 모듈
GP------ ---세븐 유닛 모듈(전력 통합 모듈)
GAL----------쵸퍼 모듈(쵸퍼 다이오드가 콜렉터에 가깝습니다)
GAR- ----- ----초퍼 모듈(이미터에 가까운 초퍼 다이오드)
120-------정격 전압 × 10
DL---- -낮은 포화 전압 강하
DN2----고주파형
DLC----(EmCon) 다이오드를 사용한 낮은 포화 전압 강하
BSM 시리즈 Siemens IGBT 모듈의 원래 명명 시스템입니다. Siemens IGBT 모듈이 EUPEC에 포함된 후에도 EUPEC 표준 시리즈 IGBT 모듈은 여전히 Siemens 모델 번호 지정 시스템을 사용합니다. 그러나 EUPEC은 원래 고전력 또는 고전압 IGBT 모듈 생산에 중점을 두었습니다. 즉, EUPEC IHM 및 IHV 시리즈 IGBT 모듈에는 FF, FZ, FS 및 FP의 이름을 따서 EUPEC라는 이름이 지정되었습니다.
EUPEC가 Infineon의 100% 자회사가 되면 모든 IGBT 모듈은 EUPEC IGBT 명명 시스템에 따라 명명됩니다.
FF400R12KE3
FZ------ ---- - 1유닛 모듈
FF---------------2유닛 모듈(하프 브리지 모듈)
FP---- - ---------7개 유닛 모듈(전력 통합 모듈)
FD/DF------------초퍼 모듈
F4 ---------------4유닛 모듈
FS---------------6유닛 모듈
DD---------------다이오드 모듈
400---------------Tc=80°C에서 정격 전류
R------------역전도형
S---------------패스트 다이오드
12------------정격전압×100
KF---------고주파형(대형 모듈에 주로 사용)
KL---------낮은 포화 전압 강하(주로 대형 모듈에 사용)
KS---------짧은 꼬리 고주파 유형
KE---------낮은 포화 압력 강하
KT---------낮은 포화 압력 강하 고주파 유형
twoSimens/ EUPEC SCR naming 시스템:
T 930 N 18 T M C
T---------사이리스터
p>D---------다이오드
930------------- -- --평균 전류
0------표준 세라믹 디스크 패키지
1------ -- ---------고출력 디스크
4----두께 19mm
6 --- ---------------두께 35mm
7------두께 08mm
8------두께 14mm
9------두께 26mm
p>
3------라이트 트리거 유형
N--------------- -- -위상 제어 장치
F---------------중심 게이트 고속 사이리스터
S--------- ---- ----게이트 분산 고속 사이리스터 다이오드
18 ----------내전압 ×100
B------ ---리드 유형
C------납땜 핀 유형
E--------- ----- ---플랫형
T------디스크형
M ---- ------ ---오프 시간(A, B, C, D 등은 오프 시간을 나타냄)
C ----오프 전압 기울기(B, C, F 등)
TT 430 N 22 K O F
TT ----------이중 사이리스터 구조
DD- ---------------------이중 다이오드 구조
TD/DT---------------- ----- ---
---- 다이오드 및 사이리스터
430------평균 전류
N---- ---------------위상 제어 장치
F------센터 게이트형 고속 사이리스터
S------음극 인터리브 고속 사이리스터
22---------- -- --내전압 × 100
K------------모듈
O---------오프 시간
p >F -----오프 전압 기울기