시뮬레이션 결과도 다르고 생성 메커니즘도 다릅니다.
1. 클록 피드스루의 경우 시뮬레이션 결과는 출력 전압의 오프셋을 보여줍니다. 이는 클록 신호가 에서 변경될 때 중첩 커패시터를 통해 d 단자에 결합되는 지점 g에서 발생합니다. 채널 전하 주입의 경우, 시뮬레이션 결과 출력 전압의 변동이 나타나는데, 이는 채널 전하의 방전이 없고, d와 s 양단에 전하가 주입되기 때문입니다.
2. 클록 피드스루는 용량성 결합 효과입니다. 즉, 신호는 중첩 용량을 통해 한 회로 노드에서 다른 회로 노드로 결합되는 반면 채널 전하 주입은 반도체 장치의 캐리어에 의해 발생합니다. 이는 전기장의 작용으로 유체의 움직임에 의해 생성됩니다.