단결정 실리콘은 실리콘의 단결정입니다. 거의 완전한 격자 구조를 갖는 결정. 방향이 다르면 특성도 다르며 좋은 반도체 재료입니다. 순도 요구 사항은 99.9999 또는 99.9999999 이상에 도달합니다. 반도체 소자, 태양전지 등 제조에 사용됩니다. 단결정 용광로의 고순도 다결정 실리콘에서 추출됩니다.
추가 정보:
주요 용도
단결정 실리콘은 주로 반도체 부품을 만드는 데 사용됩니다.
용도: 반도체 실리콘 소자 제조의 원료로 고전력 정류기, 고전력 트랜지스터, 다이오드, 스위칭 소자 등을 만드는데 사용된다.
용해시 규소 원소가 굳어지면 규소 원자 다이아몬드 격자는 많은 결정핵으로 배열됩니다. 이 결정핵이 동일한 결정면 방향을 가진 결정립으로 성장하면 이러한 결정립이 평행하게 결합되어 단결정 실리콘으로 결정됩니다.
단결정 실리콘의 제조 방법은 일반적으로 다결정 실리콘이나 비정질 실리콘을 먼저 준비한 후 초크랄스키(Czochralski)법이나 부유층 용융법을 사용하여 용융물로부터 막대 모양의 단결정 실리콘을 성장시키는 방법을 사용한다.
단결정 실리콘 로드는 단결정 실리콘 웨이퍼 생산의 원료입니다. 단결정 실리콘 웨이퍼에 대한 국내외 시장 수요가 급격히 증가함에 따라 단결정 실리콘 로드에 대한 시장 수요도 빠른 성장을 보이고 있습니다. 추세.
단결정 실리콘 웨이퍼는 직경에 따라 6인치, 8인치, 12인치(300mm), 18인치(450mm)로 구분된다. 웨이퍼의 직경이 클수록 더 많은 집적 회로를 새길 수 있으며 칩 비용은 낮아집니다. 그러나 대형 웨이퍼에는 더 높은 재료와 기술이 필요합니다.
단결정 실리콘은 결정 연신 방식에 따라 CZ(Czochralski) 방식, FZ(melting zone) 방식, 에피택셜 방식으로 구분됩니다. 단결정 실리콘 막대는 Czochralski 및 구역 용융 방법으로 연신되고, 단결정 실리콘 필름은 에피택시로 연신됩니다. 초크랄스키법(Czochralski method)으로 연신된 단결정 실리콘은 주로 반도체 집적회로, 다이오드, 에피택셜 웨이퍼 기판, 태양전지 등에 사용된다. 결정 직경은 Φ3에서 8인치까지 제어할 수 있습니다.
존 용융 방식 단결정은 주로 고전압 및 고전력 제어 정류 장치 분야에 사용되며 고전력 송변전, 전기 기관차, 정류, 주파수 변환 등에 널리 사용됩니다. , 전기 기계 통합, 에너지 절약 램프, 텔레비전 등 일련의 제품. 결정 직경은 Φ3~6인치 사이에서 조절 가능합니다. 에피택셜 웨이퍼는 주로 집적 회로 분야에서 사용됩니다.
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